Fe-SiO_2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应

	Fe-SiO_2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应
	杨啸林; 席力; 李伟; 李成贤; 葛世慧
刊名	真空与低温
	2007-03-15
期号	1 页码:21-24
关键词	颗粒膜隧道磁电阻效应巨霍耳效应
中文摘要	利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜。系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE)。在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%,fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值,为18.5μΩ.cm。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,霍耳电阻率随温度的变化不大,即样品具有良好的热稳定性。这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/178123]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨啸林,席力,李伟,等. Fe-SiO_2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应[J]. 真空与低温,2007(1):21-24.
APA	杨啸林,席力,李伟,李成贤,&葛世慧.(2007).Fe-SiO_2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应.真空与低温(1),21-24.
MLA	杨啸林,et al."Fe-SiO_2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应".真空与低温 .1(2007):21-24.