利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值

	利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值
	高晓平; 宋玉哲; 韩根亮; 张彪; 刘肃
刊名	甘肃科学学报
	2014-06-25
期号	3 页码:59-61
关键词	自旋阀被钉扎层磁电阻值退火
其他题名	利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值
中文摘要	利用高真空直流磁控溅射仪,在玻璃衬底上制备了结构为"Glass/Ta(6nm)/NiFe(6nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(t nm)/IrMn(11nm)/Ta(6nm)"的自旋阀.研究了被钉扎层CoFe的厚度t对自旋阀磁性能的影响,当t为7.5nm时自旋阀主要性能达到最佳,并且在外加磁场4 000Oe下,270℃保温3h退火处理后,自旋阀的GMR值进一步达到5.5%,自由层矫顽力为3Oe,交换偏置场为130Oe.通过以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率、低矫顽力和大交换偏置场的自旋阀.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107618]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	高晓平,宋玉哲,韩根亮,等. 利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值[J]. 甘肃科学学报,2014(3):59-61.
APA	高晓平,宋玉哲,韩根亮,张彪,&刘肃.(2014).利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值.甘肃科学学报(3),59-61.
MLA	高晓平,et al."利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值".甘肃科学学报 .3(2014):59-61.