太赫兹二极管的研究进展及应用

	太赫兹二极管的研究进展及应用
	刘子奕; 杨建红
刊名	微纳电子技术
	2014-08-15
期号	8 页码:489-497
关键词	太赫兹(THz) 肖特基势垒二极管耿氏二极管碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管隧道渡越时间(TUNNETT)二极管混频器倍频器太赫兹源
其他题名	太赫兹二极管的研究进展及应用
中文摘要	太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107597]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘子奕,杨建红. 太赫兹二极管的研究进展及应用[J]. 微纳电子技术,2014(8):489-497.
APA	刘子奕,&杨建红.(2014).太赫兹二极管的研究进展及应用.微纳电子技术(8),489-497.
MLA	刘子奕,et al."太赫兹二极管的研究进展及应用".微纳电子技术 .8(2014):489-497.