Effect of annealing temperature on the microstructure and scintillation properties of CsI(Tl) films

	Effect of annealing temperature on the microstructure and scintillation properties of CsI(Tl) films
	Cheng, F; Zhong, YR; Wang, BY; Wang, TM; Wei, L
刊名	JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报
	2008-07
卷号	23 期号:4 页码:749-752
关键词	CsI films microstructure scintillation properties
ISSN号	1000-324X
其他题名	退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响
通讯作者	Cheng, F (reprint author), Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China.
中文摘要	采用真空热蒸发法制备了CsI(T1)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(T1)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(T1)薄膜沿(200)晶面择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的T1~+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250℃退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400℃退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差,Ti~+含量减少,光产额急剧下降.
学科主题	Materials Science
语种	中文
WOS记录号	WOS:000257928900023
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/104520]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Cheng, F,Zhong, YR,Wang, BY,et al. Effect of annealing temperature on the microstructure and scintillation properties of CsI(Tl) films[J]. JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报,2008,23(4):749-752.
APA	Cheng, F,Zhong, YR,Wang, BY,Wang, TM,&Wei, L.(2008).Effect of annealing temperature on the microstructure and scintillation properties of CsI(Tl) films.JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报,23(4),749-752.
MLA	Cheng, F,et al."Effect of annealing temperature on the microstructure and scintillation properties of CsI(Tl) films".JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报 23.4(2008):749-752.