Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films

	Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films
	Peng, XP; Lan, W; Tan, YS; Tong, LG; Wang, YY
刊名	ACTA PHYSICA SINICA/物理学报
	2004-08
卷号	53 期号:8 页码:2705-2709
关键词	ZnO films Cu-doped photoluminescence rf reactive co-sputtering
ISSN号	1000-3290
其他题名	Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究
通讯作者	Peng, XP (reprint author), Lanzhou Univ, Dept Phys, Lanzhou 730000, Peoples R China.
中文摘要	通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂量为 2 5 %时 ,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰 ,而溅射功率为 1 0 0W ,Cu掺杂量为1 5 %时 ,出现了位于 4 37nm(2 84eV)处较强的蓝光峰 ,后者的取向性较好 .还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响 ,并对样品的蓝光发光机制进行了探讨
学科主题	Physics
语种	中文
WOS记录号	WOS:000223179200051
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/103876]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Peng, XP,Lan, W,Tan, YS,et al. Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films[J]. ACTA PHYSICA SINICA/物理学报,2004,53(8):2705-2709.
APA	Peng, XP,Lan, W,Tan, YS,Tong, LG,&Wang, YY.(2004).Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films.ACTA PHYSICA SINICA/物理学报,53(8),2705-2709.
MLA	Peng, XP,et al."Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films".ACTA PHYSICA SINICA/物理学报 53.8(2004):2705-2709.