高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计

	高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计
	刘春娟; 张帆; 王永顺; 刘肃
刊名	微电子学
	2012-08-20
期号	4 页码:527-530+546
关键词	基准电压源折叠式共源共栅 BiCMOS
其他题名	高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计
中文摘要	基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路。利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比;应用低跨导PMOS对管及电路输出端低通滤波器,实现了更低的噪声输出;合理的版图设计减小了失调电压带来的影响。Hspice仿真结果表明,在3V电源电压下,输出基准电压为1.2182mV,温度系数为1.257×10-5/℃;频率从103～105 Hz变化时,输出噪声最大值的变化量小于5μV。流片测试结果表明,该基准源输出基准电压的电源抑制比高,温度系数小,噪声与功耗低。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102906]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘春娟,张帆,王永顺,等. 高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计[J]. 微电子学,2012(4):527-530+546.
APA	刘春娟,张帆,王永顺,&刘肃.(2012).高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计.微电子学(4),527-530+546.
MLA	刘春娟,et al."高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计".微电子学 .4(2012):527-530+546.