电阻转变型非挥发性存储器概述一

	电阻转变型非挥发性存储器概述一
	李颖弢; 龙世兵; 吕杭炳; 刘琦; 刘肃; 刘明
刊名	科学通报
	2011-08-25
期号	24 页码:1967-1973
关键词	电阻转变存储器电阻转变特性参数
其他题名	电阻转变型非挥发性存储器概述
中文摘要	随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102868]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李颖弢,龙世兵,吕杭炳,等. 电阻转变型非挥发性存储器概述一[J]. 科学通报,2011(24):1967-1973.
APA	李颖弢,龙世兵,吕杭炳,刘琦,刘肃,&刘明.(2011).电阻转变型非挥发性存储器概述一.科学通报(24),1967-1973.
MLA	李颖弢,et al."电阻转变型非挥发性存储器概述一".科学通报 .24(2011):1967-1973.