一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究

	一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究
	许莹; 徐灿
刊名	价值工程
	2011-02-28
期号	6 页码:88-89
关键词	SiO2纳米材料紫外吸收光谱羟基含时密度泛函
其他题名	一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究
中文摘要	运用含时密度泛函B3LYP方法6-31G(d)基组水平上,计算了二氧化硅一维纳米材料单链(1NL)、双链(2NL)以及含羟基单链(1NLW)、双链(2NLW)与尺寸相关的电子吸收光谱,并从电子结构和态密度角度对其进行分析。无羟基结构的紫外吸收光谱较强峰的频率随尺寸减小红移,含羟基结构随尺寸减小明显蓝移。分析表明羟基上的H与Si相互作用使分子未占据轨道能量明显升高,造成结构吸收光谱随尺寸变小蓝移,羟基的加成可以改变二氧化硅纳米结构的光学性质。紫外吸收光谱研究以及对羟基作用的确定对SiO2纳米材料的深入研究具有指导意义。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102858]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	许莹,徐灿. 一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究[J]. 价值工程,2011(6):88-89.
APA	许莹,&徐灿.(2011).一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究.价值工程(6),88-89.
MLA	许莹,et al."一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究".价值工程 .6(2011):88-89.