水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究

	水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究
	李卓昕; 王丹妮; 王宝义; 薛德胜; 魏龙; 秦秀波
刊名	物理学报
	2010-12-15
期号	12 页码:8915-8919
关键词	多孔硅光致发光正电子湮没谱
其他题名	水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究
中文摘要	使用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱对水蒸气和真空条件下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行表征,结合发射光谱测量结果,对影响多孔硅发光性能的因素进行了讨论.实验结果表明,水蒸气退火后样品孔壁表面的悬挂键减少,并出现新的E′γ和EX类缺陷.水蒸气退火后样品中两种缺陷数量发生变化是导致多孔硅样品发光增强的直接原因;真空退火未使样品中发光相关缺陷发生变化,样品的发光性能没有显著改变.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102848]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李卓昕,王丹妮,王宝义,等. 水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究[J]. 物理学报,2010(12):8915-8919.
APA	李卓昕,王丹妮,王宝义,薛德胜,魏龙,&秦秀波.(2010).水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究.物理学报(12),8915-8919.
MLA	李卓昕,et al."水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究".物理学报 .12(2010):8915-8919.