基于多价离子束流的高能量注入工艺研究

	基于多价离子束流的高能量注入工艺研究
	徐敏杰; 丁伯继; 崔建; 王旭; 蔡雪原; 杨建红
刊名	半导体技术
	2010-11-03
期号	11 页码:1078-1082
关键词	多价离子离子注入高能量离化质量分析谱线沾污
其他题名	基于多价离子束流的高能量注入工艺研究
中文摘要	针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题,研究了一种基于二价、三价离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺。利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛选,介绍了元素沾污和能量沾污的工艺风险及其防治方法,设计了多价离子和单价离子注入的对比实验。结果表明,在注入到硅片的多价离子与单价离子总能量相等的条件下,二者注入结深一致,测试片的方块电阻差异仅为2.5%,验证了此工艺的可行性,以期达到充分发挥设备潜力、优化产品工艺的目的。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102844]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	徐敏杰,丁伯继,崔建,等. 基于多价离子束流的高能量注入工艺研究[J]. 半导体技术,2010(11):1078-1082.
APA	徐敏杰,丁伯继,崔建,王旭,蔡雪原,&杨建红.(2010).基于多价离子束流的高能量注入工艺研究.半导体技术(11),1078-1082.
MLA	徐敏杰,et al."基于多价离子束流的高能量注入工艺研究".半导体技术 .11(2010):1078-1082.