不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究

	不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究
	李卓昕; 王丹妮; 王宝义; 薛德胜; 魏龙; 秦秀波
刊名	物理学报
	2010-09-15
期号	9 页码:6647-6652
关键词	电子偶素正电子湮没谱学方法多孔硅
其他题名	不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究
中文摘要	使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102842]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李卓昕,王丹妮,王宝义,等. 不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究[J]. 物理学报,2010(9):6647-6652.
APA	李卓昕,王丹妮,王宝义,薛德胜,魏龙,&秦秀波.(2010).不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究.物理学报(9),6647-6652.
MLA	李卓昕,et al."不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究".物理学报 .9(2010):6647-6652.