等离子体浸没离子注入技术与设备研究

	等离子体浸没离子注入技术与设备研究
	刘杰; 汪明刚; 杨威风; 李超波; 夏洋
刊名	半导体技术
	2010-07-03
期号	7 页码:626-629
关键词	等离子体浸没离子注入超浅结感应耦合线圈结构脉冲偏压电源
其他题名	等离子体浸没离子注入技术与设备研究
中文摘要	基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102832]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘杰,汪明刚,杨威风,等. 等离子体浸没离子注入技术与设备研究[J]. 半导体技术,2010(7):626-629.
APA	刘杰,汪明刚,杨威风,李超波,&夏洋.(2010).等离子体浸没离子注入技术与设备研究.半导体技术(7),626-629.
MLA	刘杰,et al."等离子体浸没离子注入技术与设备研究".半导体技术 .7(2010):626-629.