GMR硬磁偏置层加工技术

	GMR硬磁偏置层加工技术
	郑洋; 刘晰; 曲炳郡; 韦丹; 魏福林; 任天令; 刘理天
刊名	功能材料与器件学报
	2010-06-25
期号	3 页码:281-284
关键词	巨磁电阻磁控溅射湿法刻蚀粗糙度种子层
其他题名	GMR硬磁偏置层加工技术
中文摘要	磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域。本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题。研究中采用了1:5的BHF溶液的湿法刻蚀工艺,刻蚀速率为25 A/s,实现了刻蚀深度的精确控制,解决了薄膜对准的问题。同时改进了CoCrPt薄膜溅射的种子层,使得CoCrPt能在常温下溅射得到很好的晶体结构。这种工艺为基于GMR的小尺寸器件设计提供了可能性。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102830]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑洋,刘晰,曲炳郡,等. GMR硬磁偏置层加工技术[J]. 功能材料与器件学报,2010(3):281-284.
APA	郑洋.,刘晰.,曲炳郡.,韦丹.,魏福林.,...&刘理天.(2010).GMR硬磁偏置层加工技术.功能材料与器件学报(3),281-284.
MLA	郑洋,et al."GMR硬磁偏置层加工技术".功能材料与器件学报 .3(2010):281-284.