离子通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响

	离子通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响
	王慧巧; 俞连春; 陈勇
刊名	物理学报
	2009-07-15
期号	7 页码:5070-5074
关键词	噪声离子通道神经元 Hodgkin-Huxley模型
其他题名	离子通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响
中文摘要	利用随机Hodgkin-Huxley模型对发生在不同膜面积、不同温度下的神经元新陈代谢能量损耗进行了数值模拟研究.与实际神经元进行比较,表明神经元细胞膜存在一个最佳的膜面积和最佳的温度.在最佳的膜面积和温度下,神经元的新陈代谢能量损耗最小.最佳的膜面积与实际神经元膜面积一致,并且这个最佳的温度与室温一致.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102785]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王慧巧,俞连春,陈勇. 离子通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响[J]. 物理学报,2009(7):5070-5074.
APA	王慧巧,俞连春,&陈勇.(2009).离子通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响.物理学报(7),5070-5074.
MLA	王慧巧,et al."离子通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响".物理学报 .7(2009):5070-5074.