基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 | |
李颖弢; 刘明; 龙世兵; 刘琦; 张森; 王艳; 左青云; 王琴; 胡媛; 刘肃 | |
刊名 | 微纳电子技术
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2009-03-15 | |
期号 | 3页码:134-140+153 |
关键词 | 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理 |
其他题名 | 基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 |
中文摘要 | 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展... |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102773] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李颖弢,刘明,龙世兵,等. 基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究[J]. 微纳电子技术,2009(3):134-140+153. |
APA | 李颖弢.,刘明.,龙世兵.,刘琦.,张森.,...&刘肃.(2009).基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究.微纳电子技术(3),134-140+153. |
MLA | 李颖弢,et al."基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究".微纳电子技术 .3(2009):134-140+153. |
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