基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究

	基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究
	李颖弢; 刘明; 龙世兵; 刘琦; 张森; 王艳; 左青云; 王琴; 胡媛; 刘肃
刊名	微纳电子技术
	2009-03-15
期号	3 页码:134-140+153
关键词	阻变存储器非挥发性存储器 I-V特性阻变机制工作原理
其他题名	基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究
中文摘要	随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102773]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李颖弢,刘明,龙世兵,等. 基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究[J]. 微纳电子技术,2009(3):134-140+153.
APA	李颖弢.,刘明.,龙世兵.,刘琦.,张森.,...&刘肃.(2009).基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究.微纳电子技术(3),134-140+153.
MLA	李颖弢,et al."基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究".微纳电子技术 .3(2009):134-140+153.