铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性

	铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性
	蔡雪原; 冉金枝; 魏莹; 杨建红
刊名	微纳电子技术
	2008-12-15
期号	12 页码:694-697
关键词	GaN基FET 自发极化铁电材料载流子浓度转移特性跨导
其他题名	铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性
中文摘要	针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0～±59μC/cm2)变化时有4～6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65V、PS为-26～26μC/cm2时,nS提高约4个数量级;负栅压下,nS因受引起电子耗尽的PS的影响而降低6～7个数量级,而PS未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值。这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102764]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡雪原,冉金枝,魏莹,等. 铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性[J]. 微纳电子技术,2008(12):694-697.
APA	蔡雪原,冉金枝,魏莹,&杨建红.(2008).铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性.微纳电子技术(12),694-697.
MLA	蔡雪原,et al."铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性".微纳电子技术 .12(2008):694-697.