有机半导体材料葸薄膜的生长

	有机半导体材料葸薄膜的生长
	李建丰; 李东仓; 欧谷平; 张福甲
刊名	半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
	2008-10-15
卷号	29 期号:5 页码:713-715
关键词	蒽薄膜生长模式 SEM AFM XRD
ISSN号	10015868
其他题名	Thin film growth of organic semiconductor anthracen
通讯作者	Li, J.-F. (lijianf04@lzu.cn)
中文摘要	利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态。结果显示:蒽膜生长时,蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长,即蒽首先形成许多三维岛状的晶核,核长大增高为岛,然后在蒽离域大π键的作用下,相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102750]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李建丰,李东仓,欧谷平,等. 有机半导体材料葸薄膜的生长[J]. 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,2008,29(5):713-715.
APA	李建丰,李东仓,欧谷平,&张福甲.(2008).有机半导体材料葸薄膜的生长.半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,29(5),713-715.
MLA	李建丰,et al."有机半导体材料葸薄膜的生长".半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics 29.5(2008):713-715.