衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响 | |
张军; 谢二庆; 谢毅柱; 付玉军; 邵乐喜 | |
刊名 | 强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams |
2008-04-15 | |
卷号 | 20期号:4页码:657-660 |
关键词 | ZnO薄膜
Zn3N2薄膜
原位氧化
光致发光
衬底
In situ oxidation
Photoluminescence
Substrate
Zn |
ISSN号 | 10014322 |
其他题名 | Effects of substrate on ZnO thin films prepared by in situ oxidation of Zn3N2 |
通讯作者 | Zhang, J. (buzman@tom.com) |
中文摘要 | 采用射频反应溅射法在不同衬底上制备Zn3N2薄膜,然后对其原位氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)等表征技术研究了不同衬底对ZnO薄膜的结晶特性和发光性能的影响。XRD研究结果显示:Zn3N2薄膜在500℃原位氧化3 h后完全转变为ZnO薄膜,在玻璃和熔融石英衬底上制备的多晶ZnO薄膜无择优取向,而单晶硅(100)衬底上的多晶ZnO薄膜具有较好的沿(002)方向的择优取向。PL测试结果显示:硅和熔融石英衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能良好,激子复合产生的紫外发光峰很强,且半高宽较窄,而来自于深能级发射的绿色发光峰很弱;而玻璃衬底上的多晶Z... |
学科主题 | 804.2 Inorganic Compounds;802.2 Chemical Reactions;741.3 Optical Devices and Systems;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;712.1.2 Compound Semiconducting Materials;712.1 Semiconducting Materials;546.3 Zinc and Alloys;531 Metallurgy and Metallography;452.2 Sewage Treatment |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102715] |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张军,谢二庆,谢毅柱,等. 衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响[J]. 强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams,2008,20(4):657-660. |
APA | 张军,谢二庆,谢毅柱,付玉军,&邵乐喜.(2008).衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响.强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams,20(4),657-660. |
MLA | 张军,et al."衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响".强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams 20.4(2008):657-660. |
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