聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管

	聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管
	董茂军; 陶春兰; 张旭辉; 欧谷平; 张福甲
刊名	光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser
	2008-02-15
卷号	19 期号:2 页码:161-163
关键词	有机场效应晶体管(OFET) 并五苯迁移率聚酰亚胺 Field effect mobility Organic field effect transistors (OFET) Pentacene
ISSN号	10050086
其他题名	Pentacene organic field-effect transistors with polyimide gate dielectric layer
通讯作者	Dong, M.-J.
中文摘要	以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测试表明,在源漏电压为70V时,器件的载流子迁移率μ为0.079cm2/V.s,器件的开关电流比为1.7×104.
学科主题	708.1 Dielectric Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;813.1 Coating Techniques;815.1.1 Organic Polymers
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102704]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	董茂军,陶春兰,张旭辉,等. 聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管[J]. 光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,2008,19(2):161-163.
APA	董茂军,陶春兰,张旭辉,欧谷平,&张福甲.(2008).聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管.光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,19(2),161-163.
MLA	董茂军,et al."聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管".光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser 19.2(2008):161-163.