ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管 | |
陈金伙; 欧谷平; 张福甲 | |
刊名 | 功能材料与器件学报/Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao/Journal of Functional Materials and Devices
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2007-04-25 | |
卷号 | 13期号:2页码:164-168 |
关键词 | 有机场效应晶体管 ITO 聚酰亚胺 |
ISSN号 | 10074252 |
其他题名 | Organic field effect transistor based on ITO electrode and organic insulator layer |
通讯作者 | Chen, J.-H. |
中文摘要 | 报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层。实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料。为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102650] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈金伙,欧谷平,张福甲. ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管[J]. 功能材料与器件学报/Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao/Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(2):164-168. |
APA | 陈金伙,欧谷平,&张福甲.(2007).ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管.功能材料与器件学报/Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao/Journal of Functional Materials and Devices,13(2),164-168. |
MLA | 陈金伙,et al."ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管".功能材料与器件学报/Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao/Journal of Functional Materials and Devices 13.2(2007):164-168. |
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