温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析

	温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
	孙硕; 胥超; 张桂铃; 苏庆; 李建丰; 欧谷平; 张福甲
刊名	功能材料
	2007-04-20
期号	4 页码:540-541+545
关键词	PTCDA/p-Si Raman光谱 AFM 衬底温度
其他题名	温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
中文摘要	通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102649]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙硕,胥超,张桂铃,等. 温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析[J]. 功能材料,2007(4):540-541+545.
APA	孙硕.,胥超.,张桂铃.,苏庆.,李建丰.,...&张福甲.(2007).温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析.功能材料(4),540-541+545.
MLA	孙硕,et al."温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析".功能材料 .4(2007):540-541+545.