射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

	射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性
	朋兴平; 王志光; 宋银; 季涛; 臧航; 杨映虎; 金运范
刊名	中国科学(G辑:物理学力学天文学)
	2007-04-15
期号	2 页码:218-222
关键词	ZnO薄膜 X射线衍射谱光致发光谱衬底温度射频反应溅射
其他题名	射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性
中文摘要	用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102648]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朋兴平,王志光,宋银,等. 射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性[J]. 中国科学(G辑:物理学力学天文学),2007(2):218-222.
APA	朋兴平.,王志光.,宋银.,季涛.,臧航.,...&金运范.(2007).射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性.中国科学(G辑:物理学力学天文学)(2),218-222.
MLA	朋兴平,et al."射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性".中国科学(G辑:物理学力学天文学) .2(2007):218-222.