纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型

	纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型
	蒲月皎; 刘丕均; 张亚非; 王印月
刊名	固体电子学研究与进展/Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics
	2005-06-30
卷号	25 期号:2 页码:160-166
关键词	器件模拟量子传输纳米级金属氧化物半导体场效应管弹道传输 Ballistic transport Carrier transport model Device simulation Nanoscale MOSFET Quantum transport Terascale integration
ISSN号	10003819
其他题名	Carrier transport model of nano-scale MOSFET Device Simulation
通讯作者	Pu, Y.
中文摘要	随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。
学科主题	712.1 Semiconducting Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;921 Mathematics;931.4 Quantum Theory; Quantum Mechanics;933.1 Crystalline Solids
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102516]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	蒲月皎,刘丕均,张亚非,等. 纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型[J]. 固体电子学研究与进展/Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics,2005,25(2):160-166.
APA	蒲月皎,刘丕均,张亚非,&王印月.(2005).纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型.固体电子学研究与进展/Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics,25(2),160-166.
MLA	蒲月皎,et al."纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型".固体电子学研究与进展/Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics 25.2(2005):160-166.