脉冲溅射V2O5薄膜结构和性能研究

	脉冲溅射V2O5薄膜结构和性能研究
	许旻; 贺德衍
刊名	光学学报/Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica
	2004-07-17
卷号	24 期号:6 页码:743-746
关键词	薄膜 V2O5 脉冲溅射微结构光电特性 Cycle performance Electrochemical properties Pulsed sputter deposition Thin film battery Vanadium oxide film
ISSN号	02532239
其他题名	Microstructural features, electrical and optical properties of pulsed-sputter deposited V2O5 thin films
通讯作者	Xu, M. (mxu02@st.lzu.edu.cn)
中文摘要	V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系 ,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2 O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反应溅射方法 ,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参量 ,在石英玻璃和硅片上制备V2 O5薄膜。利用X射线衍射和X射线光电子谱 ,分析了薄膜的成分、相结构、结晶和价态情况 ,用原子力显微镜表征了薄膜的微观结构 ,用分光光度计测量从 2 0 0～ 2 5 0 0nm波段V2 O5薄膜的透射和反射光谱 ,对薄膜的电学性能也进行了测量和分析。结果表明 ,V2 O5薄膜...
学科主题	804 Chemical Products Generally;741.3 Optical Devices and Systems;741.1 Light/Optics;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;702.1.1 Primary Batteries;701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena;531.2 Metallography
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102442]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	许旻,贺德衍. 脉冲溅射V2O5薄膜结构和性能研究[J]. 光学学报/Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica,2004,24(6):743-746.
APA	许旻,&贺德衍.(2004).脉冲溅射V2O5薄膜结构和性能研究.光学学报/Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica,24(6),743-746.
MLA	许旻,et al."脉冲溅射V2O5薄膜结构和性能研究".光学学报/Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica 24.6(2004):743-746.