退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响

	退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响
	方泽波; 龚恒翔; 刘雪芹; 徐大印; 黄春明; 王印月
刊名	物理学报
	2003-07-12
期号	7 页码:1748-1751
关键词	ZnO薄膜退火光致发光射频反应溅射
其他题名	退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响
中文摘要	用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致发光测量发现 ,样品在 4 30nm附近有一光致发光峰 ,峰的强度随退火温度升高而减弱 ,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 ,推测出ZnO薄膜中的蓝光发射主要来源于锌填隙原子缺陷能级与价带顶能级间的跃迁
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102391]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	方泽波,龚恒翔,刘雪芹,等. 退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响[J]. 物理学报,2003(7):1748-1751.
APA	方泽波,龚恒翔,刘雪芹,徐大印,黄春明,&王印月.(2003).退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响.物理学报(7),1748-1751.
MLA	方泽波,et al."退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响".物理学报 .7(2003):1748-1751.