退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响 | |
许旻; 邱家稳; 贺德衍 | |
刊名 | 真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology
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2003-06-30 | |
卷号 | 23期号:3页码:161-164 |
关键词 | ITO 透明导电薄膜 光学特性 电学特性 Indium tin oxide Reactive magnetron sputtering Transparent conductive thin film |
ISSN号 | 02539748 |
其他题名 | Study of annealed indium tin oxide films prepared by reactive magnetron sputtering |
通讯作者 | Xu, M. (mxu02@st.lzu.edu.cn) |
中文摘要 | 采用铟锡合金靶 (铟 锡 ,90 - 10 ) ,通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜 ,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明 ,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高 |
学科主题 | 537.1 Heat Treatment Processes;701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena;741.1 Light/Optics;804.2 Inorganic Compounds;932.1 High Energy Physics |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102389] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 许旻,邱家稳,贺德衍. 退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响[J]. 真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology,2003,23(3):161-164. |
APA | 许旻,邱家稳,&贺德衍.(2003).退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响.真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology,23(3),161-164. |
MLA | 许旻,et al."退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响".真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology 23.3(2003):161-164. |
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