退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

	退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响
	许旻; 邱家稳; 贺德衍
刊名	真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology
	2003-06-30
卷号	23 期号:3 页码:161-164
关键词	ITO 透明导电薄膜光学特性电学特性 Indium tin oxide Reactive magnetron sputtering Transparent conductive thin film
ISSN号	02539748
其他题名	Study of annealed indium tin oxide films prepared by reactive magnetron sputtering
通讯作者	Xu, M. (mxu02@st.lzu.edu.cn)
中文摘要	采用铟锡合金靶 (铟锡 ,90 - 10 ) ,通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜 ,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明 ,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高
学科主题	537.1 Heat Treatment Processes;701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena;741.1 Light/Optics;804.2 Inorganic Compounds;932.1 High Energy Physics
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102389]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	许旻,邱家稳,贺德衍. 退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响[J]. 真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology,2003,23(3):161-164.
APA	许旻,邱家稳,&贺德衍.(2003).退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响.真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology,23(3),161-164.
MLA	许旻,et al."退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响".真空科学与技术/Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Vacuum Science and Technology 23.3(2003):161-164.