SITH耐压容量的控制和调节

	SITH耐压容量的控制和调节
	姚琢; 薛伟东; 刘肃
刊名	兰州大学学报/Lanzhou Daxue Xuebao/Journal of Lanzhou University
	2001-10-30
卷号	37 期号:5 页码:42-47
关键词	SITH 正向阻断电压栅阴击穿电压
ISSN号	04552059
其他题名	Control and adjustment for voltage capacity of SITH
中文摘要	分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅 -阴极击穿电压的控制和调节
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102320]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	姚琢,薛伟东,刘肃. SITH耐压容量的控制和调节[J]. 兰州大学学报/Lanzhou Daxue Xuebao/Journal of Lanzhou University,2001,37(5):42-47.
APA	姚琢,薛伟东,&刘肃.(2001).SITH耐压容量的控制和调节.兰州大学学报/Lanzhou Daxue Xuebao/Journal of Lanzhou University,37(5),42-47.
MLA	姚琢,et al."SITH耐压容量的控制和调节".兰州大学学报/Lanzhou Daxue Xuebao/Journal of Lanzhou University 37.5(2001):42-47.