热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响 | |
邵乐喜; 刘小平; 谢二庆; 贺德衍; 陈光华 | |
刊名 | 无机材料学报
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2001-10-20 | |
期号 | 5页码:1015-1018 |
关键词 | AlN薄膜 场电子发射 热退火 滞后 |
其他题名 | 热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响 |
中文摘要 | 以氮气为反应气体;用射频反应溅射方法制备了AIN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700℃退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性. |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102315] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵乐喜,刘小平,谢二庆,等. 热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响[J]. 无机材料学报,2001(5):1015-1018. |
APA | 邵乐喜,刘小平,谢二庆,贺德衍,&陈光华.(2001).热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响.无机材料学报(5),1015-1018. |
MLA | 邵乐喜,et al."热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响".无机材料学报 .5(2001):1015-1018. |
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