热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

	热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响
	邵乐喜; 刘小平; 谢二庆; 贺德衍; 陈光华
刊名	无机材料学报
	2001-10-20
期号	5 页码:1015-1018
关键词	AlN薄膜场电子发射热退火滞后
其他题名	热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响
中文摘要	以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响．实验表明，热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径，样品经７００℃退火后，发射电流的涨落从未退火前的１３５μＡ下降到２０μＡ；并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性．文中认为，退火处理造成了薄膜结构的变化，引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变，进而影响了其发射特性．
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102315]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	邵乐喜,刘小平,谢二庆,等. 热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响[J]. 无机材料学报,2001(5):1015-1018.
APA	邵乐喜,刘小平,谢二庆,贺德衍,&陈光华.(2001).热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响.无机材料学报(5),1015-1018.
MLA	邵乐喜,et al."热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响".无机材料学报 .5(2001):1015-1018.