Fe-Zr-N合金薄膜的微结构对磁性能的影响 | |
肖春涛; 耿胜利; 杨正 | |
刊名 | 电子计算机与外部设备
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1997-09-15 | |
期号 | 5页码:29-30 |
关键词 | 高Ms 铁基薄膜 微结构 磁性能 |
其他题名 | Fe-Zr-N合金薄膜的微结构对磁性能的影响 |
中文摘要 | 用射频反应溅射法在Ar+N2混和气氛中制备了软磁性Fe-Zr-N薄膜,考察了样品的微结构和磁性能,并讨论了微结构对磁性的影响。所制备的Fe-ZR-N膜都是(110)取向的,晶粒细小。发现Zr的添加能有效地抑制Fe4N相的生成,而添加Zr和掺氮均有利于形成细晶粒结构,并改善软磁性能。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102188] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖春涛,耿胜利,杨正. Fe-Zr-N合金薄膜的微结构对磁性能的影响[J]. 电子计算机与外部设备,1997(5):29-30. |
APA | 肖春涛,耿胜利,&杨正.(1997).Fe-Zr-N合金薄膜的微结构对磁性能的影响.电子计算机与外部设备(5),29-30. |
MLA | 肖春涛,et al."Fe-Zr-N合金薄膜的微结构对磁性能的影响".电子计算机与外部设备 .5(1997):29-30. |
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