硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性 | |
张仿清; 谢二庆; 杨斌; 才永明; 陈光华 | |
刊名 | 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
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1995-06-08 | |
卷号 | 16期号:6页码:468-472 |
关键词 | 金刚石膜:8240 金刚石薄膜:4521 硼掺杂:2035 红外吸收:1891 半导体:1137 三激发态:808 化学气相沉积法:764 电阻率:761 原子基态:696 红外谱:576 Boron doped diamond film Infrared absorption |
ISSN号 | 02534177 |
其他题名 | Synthesis of boron-doped semiconducting diamond thin film and its infrared absorption characteristics |
通讯作者 | Zhang, Fangqing |
中文摘要 | 用热丝协助化学气相沉积法,用B2O3作掺杂剂,用丙酮作碳源,成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果.实验结果表明:在0.308eV和0.341eV处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的.这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在. |
学科主题 | 712.1.2 Compound Semiconducting Materials;741.1 Light/Optics;802.3 Chemical Operations |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102086] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张仿清,谢二庆,杨斌,等. 硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1995,16(6):468-472. |
APA | 张仿清,谢二庆,杨斌,才永明,&陈光华.(1995).硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,16(6),468-472. |
MLA | 张仿清,et al."硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 16.6(1995):468-472. |
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