硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性

	硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性
	张仿清; 谢二庆; 杨斌; 才永明; 陈光华
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	1995-06-08
卷号	16 期号:6 页码:468-472
关键词	金刚石膜:8240 金刚石薄膜:4521 硼掺杂:2035 红外吸收:1891 半导体:1137 三激发态:808 化学气相沉积法:764 电阻率:761 原子基态:696 红外谱:576 Boron doped diamond film Infrared absorption
ISSN号	02534177
其他题名	Synthesis of boron-doped semiconducting diamond thin film and its infrared absorption characteristics
通讯作者	Zhang, Fangqing
中文摘要	用热丝协助化学气相沉积法，用Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用丙酮作碳源，成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果．实验结果表明：在０．３０８ｅＶ和０．３４１ｅＶ处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的．这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在．
学科主题	712.1.2 Compound Semiconducting Materials;741.1 Light/Optics;802.3 Chemical Operations
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102086]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张仿清,谢二庆,杨斌,等. 硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1995,16(6):468-472.
APA	张仿清,谢二庆,杨斌,才永明,&陈光华.(1995).硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,16(6),468-472.
MLA	张仿清,et al."硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 16.6(1995):468-472.