Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究

	Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究
	彭栋梁; 蒋生蕊; 谢亮
刊名	甘肃科学学报
	1993-12-31
期号	4 页码:26-31
关键词	气敏效应 Cd_2SnO_4薄膜
其他题名	Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究
中文摘要	在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102033]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	彭栋梁,蒋生蕊,谢亮. Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究[J]. 甘肃科学学报,1993(4):26-31.
APA	彭栋梁,蒋生蕊,&谢亮.(1993).Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究.甘肃科学学报(4),26-31.
MLA	彭栋梁,et al."Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究".甘肃科学学报 .4(1993):26-31.