CdlnO↓4膜红外性质分析

	CdlnO↓4膜红外性质分析
	姬荣斌; 张小兰; 王万录
刊名	太阳能学报
	1993-07-01
期号	2 页码:185-189
关键词	射频反应溅射 CIO膜红外吸收率
其他题名	Cdln_2O_4膜红外性质分析
中文摘要	利用射频反应溅射Cd-In合金靶沉积的CdIn_2O_4薄膜是n型高兼并半导体,其红外反射率随溅射气体中氧浓度的不同而有异,相同氧浓度下沉积的薄膜经过退火处理后红外反射率也会发生变化。原因是不同氧浓度下沉积薄膜的氧空位不同,其自由载流子浓度也就不同,从而使薄膜有不同的吸收系数。实验结果与理论计算值符合较好。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102023]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	姬荣斌,张小兰,王万录. CdlnO↓4膜红外性质分析[J]. 太阳能学报,1993(2):185-189.
APA	姬荣斌,张小兰,&王万录.(1993).CdlnO↓4膜红外性质分析.太阳能学报(2),185-189.
MLA	姬荣斌,et al."CdlnO↓4膜红外性质分析".太阳能学报 .2(1993):185-189.