电子束蒸发α-Si↓(1-x)Er↓x薄膜的光吸收特性 | |
甘润今; 张仿清; 刘国汉 | |
刊名 | 无机材料学报
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1992-12-30 | |
期号 | 4页码:455-459 |
关键词 | 光吸收 稀土 非晶硅薄膜 光学带隙 |
其他题名 | 电子束蒸发α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性 |
中文摘要 | 本文研究了电子束蒸发的α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性.其结果表明,薄膜的组分变化对近红外长波的吸收特性影响较大;光学带隙随组分 x_(Er) 的增大而变窄,由1.52eV 减小到约1.22eV;掺入适量的 Er 能部分地补偿 a-Si 薄膜中的硅悬挂键.本文还利用 Cody 的无序理论,结合 T.Oestereich 等人对 a-Si∶H∶Er 薄膜的光致发光研究,对实验结果进行了分析讨论. |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101997] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 甘润今,张仿清,刘国汉. 电子束蒸发α-Si↓(1-x)Er↓x薄膜的光吸收特性[J]. 无机材料学报,1992(4):455-459. |
APA | 甘润今,张仿清,&刘国汉.(1992).电子束蒸发α-Si↓(1-x)Er↓x薄膜的光吸收特性.无机材料学报(4),455-459. |
MLA | 甘润今,et al."电子束蒸发α-Si↓(1-x)Er↓x薄膜的光吸收特性".无机材料学报 .4(1992):455-459. |
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