直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究

	直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究
	王万录; 高锦英; 廖克俊; 刘爱民
刊名	物理学报
	1992-11-26
期号	11 页码:1906-1912
关键词	金刚石膜:7489 内应力:3309 汽相沉积:2845 衬底温度:2531 等离子体化学:2428 金刚石颗粒:1946 张应力:1825 压缩应力:1764 直流:1088 晶粒间界:1063
其他题名	直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究
中文摘要	研究了直流等离子体化学汽相沉积(CVD)法合成的金刚石膜内应力随甲烷浓度、沉积温度的变化关系。实验研究表明,金刚石膜的总内应力随沉积条件变化十分敏感。压缩应力是由非金刚石成份及氢等杂质引起的,而伸张应力可由膜中高密度的微空和内面积导致的晶粒间界弛豫模型来解释。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101989]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王万录,高锦英,廖克俊,等. 直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究[J]. 物理学报,1992(11):1906-1912.
APA	王万录,高锦英,廖克俊,&刘爱民.(1992).直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究.物理学报(11),1906-1912.
MLA	王万录,et al."直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究".物理学报 .11(1992):1906-1912.