电子束蒸发a-Si↓（1-x）Gd↓x薄膜的电导特性

	电子束蒸发a-Si↓（1-x）Gd↓x薄膜的电导特性
	甘润今; 张津燕
刊名	中国稀土学报
	1992-09-30
期号	3 页码:270-272
关键词	电导率稀土非晶硅薄膜悬挂键
其他题名	电子束蒸发a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的电导特性
中文摘要	稀土元素适量地掺入化合物半导体材料和非晶玻璃固体材料,均能有效地改善基质材料的光学、力学和其它物理特性。研究表明,三价的稀土离子容易进入非晶玻璃网格形成键合,它的不满4f电子受5s、5p电子层的屏蔽。因此,稀土离子受玻璃非晶体基质的配位场的影响较小,它在非晶体中的行为与在晶体基质中基本相似。非晶硅半导体材料,由于制备较简便,易实现大面积而受到重视。本文对a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的电导特性进行了研究,并结合薄膜的ESR特性,对实验结果进行了初步讨论。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101984]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	甘润今,张津燕. 电子束蒸发a-Si↓（1-x）Gd↓x薄膜的电导特性[J]. 中国稀土学报,1992(3):270-272.
APA	甘润今,&张津燕.(1992).电子束蒸发a-Si↓（1-x）Gd↓x薄膜的电导特性.中国稀土学报(3),270-272.
MLA	甘润今,et al."电子束蒸发a-Si↓（1-x）Gd↓x薄膜的电导特性".中国稀土学报 .3(1992):270-272.