Cd2SO4薄膜光致发光某些性质的研究

	Cd2SO4薄膜光致发光某些性质的研究
	王万录; 高锦英; 廖克俊; 彭栋梁; 蒋生蕊
刊名	发光学报
	1992-08-28
期号	4 页码:341-346
关键词	Cd_2SnO_4薄膜:7464 质的研究:3676 光致发光谱:2939 导带电子:2578 氧浓度:2012 4膜:1639 能隙:1500 价带:1476 带隙:1474 激发光谱:1461
其他题名	Cd_2SnO_4薄膜光致发光某些性质的研究
中文摘要	本文研究了Cd_2SnO_4薄膜光致发光的某些性质.Cd_2SnO_4膜是利用Cd-Sn合金靶在Ar+O_2气氛中反应溅射而成的.实验研究表明,Cd_2SnO_4膜的发光峰值随着氧浓度的增加移向长波方向.这是因为氧浓度的增加,减少了膜中的氧空位,导致了导带中电子浓度的减小,致使Burstein-Moss效应和电子散射作用相对减弱,从而改变了带隙宽度.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101977]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王万录,高锦英,廖克俊,等. Cd2SO4薄膜光致发光某些性质的研究[J]. 发光学报,1992(4):341-346.
APA	王万录,高锦英,廖克俊,彭栋梁,&蒋生蕊.(1992).Cd2SO4薄膜光致发光某些性质的研究.发光学报(4),341-346.
MLA	王万录,et al."Cd2SO4薄膜光致发光某些性质的研究".发光学报 .4(1992):341-346.