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双束溅射淀积DLC膜的结构表征和性能分析
王维洁; 王天民; 韩培刚; 罗崇泰; 黄良甫; 刘定权
刊名材料科学进展
1992-08-28
期号4页码:315-319
关键词双离子束溅射淀积 DLC膜 薄膜生长 结构 性能
其他题名双束溅射淀积DLC膜的结构表征和性能分析
中文摘要用双离子束溅射淀积法,在轰击源含不同 CH_4流量比的条件下,于玻璃和 Si 基片上淀积了DLC 薄膜。用多种手段对所制备的膜进行了结构表征和性能分析。结果表明,轰击源中 CH_4流量比对DLC 膜的结构、形貌及其光、电性能有重要的影响。分析了影响机制,探讨了 DLC 膜的生长机理。
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101976]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
王维洁,王天民,韩培刚,等. 双束溅射淀积DLC膜的结构表征和性能分析[J]. 材料科学进展,1992(4):315-319.
APA 王维洁,王天民,韩培刚,罗崇泰,黄良甫,&刘定权.(1992).双束溅射淀积DLC膜的结构表征和性能分析.材料科学进展(4),315-319.
MLA 王维洁,et al."双束溅射淀积DLC膜的结构表征和性能分析".材料科学进展 .4(1992):315-319.
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