射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd↓2SnO↓4薄膜

	射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd↓2SnO↓4薄膜
	蒋生蕊; 彭栋梁; 孙文红; 王万录
刊名	太阳能学报/Taiyangneng Xuebao/Acta Energiae Solaris Sinica
	1992-07-01
卷号	13 期号:2 页码:118-122
关键词	射频反应性溅射:6230 Cd_2SnO_4薄膜:4350 Sn合金:3657 透明导电:3182 衬底温度:2985 氧浓度:2195 透光率:1553 溅射室:955 反射率测量:955 混合气氛:881 Alloy Target Conducting Film Preparation Oxygen Concentration Radio Frequency Reactive Sputtering
ISSN号	02540096
其他题名	Transparent conducting Cd2SnO4 film deposited by RF reactive sputtering from Cd-Sn alloy target
通讯作者	Jiang, Shengrui
中文摘要	在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。
学科主题	702 Electric Batteries and Fuel Cells;712 Electronic and Thermionic Materials;813 Coatings and Finishes;931 Classical Physics; Quantum Theory; Relativity
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101972]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋生蕊,彭栋梁,孙文红,等. 射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd↓2SnO↓4薄膜[J]. 太阳能学报/Taiyangneng Xuebao/Acta Energiae Solaris Sinica,1992,13(2):118-122.
APA	蒋生蕊,彭栋梁,孙文红,&王万录.(1992).射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd↓2SnO↓4薄膜.太阳能学报/Taiyangneng Xuebao/Acta Energiae Solaris Sinica,13(2),118-122.
MLA	蒋生蕊,et al."射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd↓2SnO↓4薄膜".太阳能学报/Taiyangneng Xuebao/Acta Energiae Solaris Sinica 13.2(1992):118-122.