射频反应溅射a-Ge↑（1-x）C↓x:H薄膜的红外谱分析

	射频反应溅射a-Ge↑（1-x）C↓x:H薄膜的红外谱分析
	陈光华; 张仿清; 吴天喜
刊名	兰州大学学报
	1992-07-01
期号	2 页码:185-188
关键词	射频反应溅射:8266 谱分析:4458 叠层太阳电池:2176 红外:1685 半导体薄膜:1103 带隙材料:833 电池材料:813 应用前景:776 高光敏性:746 光电材料:695
其他题名	射频反应溅射a—Ge_(1-x)C_x∶H薄膜的红外谱分析
中文摘要	a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x)
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101968]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,张仿清,吴天喜. 射频反应溅射a-Ge↑（1-x）C↓x:H薄膜的红外谱分析[J]. 兰州大学学报,1992(2):185-188.
APA	陈光华,张仿清,&吴天喜.(1992).射频反应溅射a-Ge↑（1-x）C↓x:H薄膜的红外谱分析.兰州大学学报(2),185-188.
MLA	陈光华,et al."射频反应溅射a-Ge↑（1-x）C↓x:H薄膜的红外谱分析".兰州大学学报 .2(1992):185-188.