掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究

	掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究
	陈光华; 张津燕; 甘润今; 张仿清
刊名	电子学报
	1991-05-31
期号	5 页码:111-113
关键词	金属钴:5633 硅薄膜:5417 电导率:4141 非晶态半导体:2778 关系曲线:1933 Amorphous:1519 兰州大学:1492 光学特性:1482 过渡金属:1391 杂质能级:1282
其他题名	掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究
中文摘要	本文报道用电子束蒸发法将过渡金属Co掺入a-Si薄膜,用电导率与温度的依赖关系,ESR紫外透射谱测量手段对a-Si:Co薄膜的电学、光学特性,杂质对缺陷态的补偿和掺杂机理进行了研究。测量结果表明,Co杂质能级的中心位置在价带E_v以上0.13eV.在480K
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101906]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,张津燕,甘润今,等. 掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究[J]. 电子学报,1991(5):111-113.
APA	陈光华,张津燕,甘润今,&张仿清.(1991).掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究.电子学报(5),111-113.
MLA	陈光华,et al."掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究".电子学报 .5(1991):111-113.