用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷

	用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷
	王淑英; 季国坤; 侯耀永; 李理
刊名	物理学报
	1985-12-27
期号	12 页码:1627-1633
关键词	疲劳过程:4992 空位团:4445 正电子湮没技术:3855 纯镍:3233 割阶:2834 多晶体:2827 晶体缺陷:2255 正电子湮没寿命谱:1935 位错:1676 疲劳试样:1520
其他题名	用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷
中文摘要	对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101728]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王淑英,季国坤,侯耀永,等. 用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷[J]. 物理学报,1985(12):1627-1633.
APA	王淑英,季国坤,侯耀永,&李理.(1985).用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷.物理学报(12),1627-1633.
MLA	王淑英,et al."用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷".物理学报 .12(1985):1627-1633.