胶体掺杂扩散

	胶体掺杂扩散
	兰州大学物理系半导体专业赴宁光电工厂毕业实践队
刊名	兰州大学学报
	1975-10-01
期号	3 页码:72-79
关键词	误差分布:4702 高斯分布:4428 杂质浓度:4292 阳极氧化:3102 分布曲线:2965 四探针:2632 表面区域:2074 实验曲线:1947 表面浓度:1813 扩散工艺:1766
其他题名	胶体掺杂扩散
中文摘要	胶体掺杂扩散是近年来半导体器件生产中出现的一项新工艺,在国内已开始研究和试用,但尚未能广泛的应用,这可能是与工艺中尚存在若干实际问题有关。就目前所知,这项工艺具有一些明显的优点: 1.操作方便,工艺简单,只需把胶体掺杂源涂在Si表面直接送入扩散炉即可。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101606]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	兰州大学物理系半导体专业赴宁光电工厂毕业实践队. 胶体掺杂扩散[J]. 兰州大学学报,1975(3):72-79.
APA	兰州大学物理系半导体专业赴宁光电工厂毕业实践队.(1975).胶体掺杂扩散.兰州大学学报(3),72-79.
MLA	兰州大学物理系半导体专业赴宁光电工厂毕业实践队."胶体掺杂扩散".兰州大学学报 .3(1975):72-79.