Al_SiC肖特基势垒二极管

	Al_SiC肖特基势垒二极管
	刘肃; 宁长春; 孙艳玲
刊名	电力电子技术
	2002-10-25
期号	5 页码:75-77
关键词	二极管碳化硅肖特基势垒
其他题名	Al/SiC肖特基势垒二极管
中文摘要	报道了用热蒸发Al作肖特基接触在SiC材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。采用射频溅射法在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。I-V特性测量说明Al/SiCSBD有较好的整流特性 ,热电子发射是其主要的输运机理。反向击穿电压为 2 2 .5V ,理想因子为 1.19,肖特基势垒高度为 1.4 8eV。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101551]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘肃,宁长春,孙艳玲. Al_SiC肖特基势垒二极管[J]. 电力电子技术,2002(5):75-77.
APA	刘肃,宁长春,&孙艳玲.(2002).Al_SiC肖特基势垒二极管.电力电子技术(5),75-77.
MLA	刘肃,et al."Al_SiC肖特基势垒二极管".电力电子技术 .5(2002):75-77.