Al_SiC肖特基势垒二极管 | |
刘肃; 宁长春; 孙艳玲 | |
刊名 | 电力电子技术
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2002-10-25 | |
期号 | 5页码:75-77 |
关键词 | 二极管 碳化硅 肖特基势垒 |
其他题名 | Al/SiC肖特基势垒二极管 |
中文摘要 | 报道了用热蒸发Al作肖特基接触在SiC材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。采用射频溅射法在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。I-V特性测量说明Al/SiCSBD有较好的整流特性 ,热电子发射是其主要的输运机理。反向击穿电压为 2 2 .5V ,理想因子为 1.19,肖特基势垒高度为 1.4 8eV。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101551] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘肃,宁长春,孙艳玲. Al_SiC肖特基势垒二极管[J]. 电力电子技术,2002(5):75-77. |
APA | 刘肃,宁长春,&孙艳玲.(2002).Al_SiC肖特基势垒二极管.电力电子技术(5),75-77. |
MLA | 刘肃,et al."Al_SiC肖特基势垒二极管".电力电子技术 .5(2002):75-77. |
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