传输线模型测量Au_Ti_p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

	传输线模型测量Au_Ti_p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率
	王印月; 甄聪棉; 龚恒翔; 阎志军; 王亚凡; 刘雪芹; 杨映虎; 何山虎
刊名	物理学报
	2000-07-11
期号	7 页码:1348-1351
关键词	金刚石薄膜欧姆接触接触电阻率
中文摘要	采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti_Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段 .ρc 随测试温度的变化表明金属 _半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透 .而光照对 ρc 影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料 .测试得到的最低 ρc 值约为 10 -4 Ωcm2 .
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101545]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,甄聪棉,龚恒翔,等. 传输线模型测量Au_Ti_p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率[J]. 物理学报,2000(7):1348-1351.
APA	王印月.,甄聪棉.,龚恒翔.,阎志军.,王亚凡.,...&何山虎.(2000).传输线模型测量Au_Ti_p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率.物理学报(7),1348-1351.
MLA	王印月,et al."传输线模型测量Au_Ti_p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率".物理学报 .7(2000):1348-1351.