CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率 | |
孙燕杰; 何山虎; 甄聪棉; 龚恒翔; 杨映虎; 王印月 | |
刊名 | 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
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1999-08-30 | |
卷号 | 20期号:4页码:241-244 |
关键词 | 圆形传输线模型 金属/半导体接触 接触电阻率 |
ISSN号 | 10015868 |
其他题名 | Measurement of specific contact resistance of metal/semiconductor using CTLM |
中文摘要 | 系统地介绍了用圆形传输线模型( C T L M) 测量金属/ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Al/ Si 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ C 的影响。测量得到 Al/ Si 欧姆接触电阻率的最小值约为2 .4 ×10 - 5 Ω·cm 2 。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101542] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙燕杰,何山虎,甄聪棉,等. CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率[J]. 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,1999,20(4):241-244. |
APA | 孙燕杰,何山虎,甄聪棉,龚恒翔,杨映虎,&王印月.(1999).CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率.半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,20(4),241-244. |
MLA | 孙燕杰,et al."CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率".半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics 20.4(1999):241-244. |
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