CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率

	CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率
	孙燕杰; 何山虎; 甄聪棉; 龚恒翔; 杨映虎; 王印月
刊名	半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
	1999-08-30
卷号	20 期号:4 页码:241-244
关键词	圆形传输线模型金属/半导体接触接触电阻率
ISSN号	10015868
其他题名	Measurement of specific contact resistance of metal/semiconductor using CTLM
中文摘要	系统地介绍了用圆形传输线模型（ＣＴＬＭ）测量金属／半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以Ａｌ／Ｓｉ接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ的影响。测量得到Ａｌ／Ｓｉ欧姆接触电阻率的最小值约为２．４ ×１０－５ Ω·ｃｍ２。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101542]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙燕杰,何山虎,甄聪棉,等. CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率[J]. 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,1999,20(4):241-244.
APA	孙燕杰,何山虎,甄聪棉,龚恒翔,杨映虎,&王印月.(1999).CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率.半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,20(4),241-244.
MLA	孙燕杰,et al."CTLM测量金属_半导体欧姆接触电阻率".半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics 20.4(1999):241-244.