非晶态Ge_SiO_2超晶格结构与特性

	非晶态Ge_SiO_2超晶格结构与特性
	张兴旺; 陈光华
刊名	材料研究学报
	1998-10-15
期号	5 页码:512-514
关键词	超晶格 α－Ge／SiO_2 射频溅射
其他题名	非晶态Ge／SiO2超晶格结构与特性
中文摘要	在双靶射频溅射系统中，以氢气为工作气体，交替溅射高纯Ge和SiO2，制备出了非晶态Ge／SiO2超晶格．小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性．其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定．当锗势阱层厚度从0．38nm减小到0.12nm时，超晶格光学带欧发生约0．3eV的游移．
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101540]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张兴旺,陈光华. 非晶态Ge_SiO_2超晶格结构与特性[J]. 材料研究学报,1998(5):512-514.
APA	张兴旺,&陈光华.(1998).非晶态Ge_SiO_2超晶格结构与特性.材料研究学报(5),512-514.
MLA	张兴旺,et al."非晶态Ge_SiO_2超晶格结构与特性".材料研究学报 .5(1998):512-514.