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Al-Ti_W-PtSi-Si系统电性能的研究
李思渊; 张同军; 王晓岗; 贾笑天
刊名应用科学学报
1991-04-02
期号1页码:61-68
关键词抗电迁移性 表面形貌 比接触电阻
其他题名Al-Ti/W-PtSi-Si系统电性能的研究
中文摘要本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101529]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
李思渊,张同军,王晓岗,等. Al-Ti_W-PtSi-Si系统电性能的研究[J]. 应用科学学报,1991(1):61-68.
APA 李思渊,张同军,王晓岗,&贾笑天.(1991).Al-Ti_W-PtSi-Si系统电性能的研究.应用科学学报(1),61-68.
MLA 李思渊,et al."Al-Ti_W-PtSi-Si系统电性能的研究".应用科学学报 .1(1991):61-68.
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