硅P-N_绝缘层_金属(P-N-I-M)结构器件的研制

	硅P-N_绝缘层_金属(P-N-I-M)结构器件的研制
	王万录
刊名	半导体技术
	1983-12-27
期号	6 页码:23-25
关键词	绝缘层:8272 N型:2923 阈值电压:2123 耗尽层:1905 高速开关:1800 外延层:1741 开态:1645 三端开关器件:1473 晶体管:1419 负阻:1307
其他题名	硅P-N/绝缘层/金属(P-N-I-M)结构器件的研制
中文摘要	一、引言近年来硅P-N/绝缘层/金属(P-N-I-M)四层结构的负阻开关器件已得到广泛研究。这种器件最主要的特征是:高速开关(开关速度达1ns),高度光灵敏性,适于集成化,制造工艺简单。因而目前已做成光高速开关器件、ROM、RAM及单块移位寄存器等。本文介绍了我们研制的两端和三端开关器件及可能的应用。二、器件结构及其工作原理该器件的基本结构如图1所示,其中绝缘层很薄(d_0<30A)。我们可以把它看作是一个PNP晶体管和MIS二极管组成的复合结构。PNP晶体管发射区是P~+,基区是N型外延层(基极开路),收集极是半导体N型层和绝缘层界面。它的工作原理类似PNPN二极管。其
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101523]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王万录. 硅P-N_绝缘层_金属(P-N-I-M)结构器件的研制[J]. 半导体技术,1983(6):23-25.
APA	王万录.(1983).硅P-N_绝缘层_金属(P-N-I-M)结构器件的研制.半导体技术(6),23-25.
MLA	王万录."硅P-N_绝缘层_金属(P-N-I-M)结构器件的研制".半导体技术 .6(1983):23-25.