反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究 | |
王印月; 许怀哲; 张仿清; 陈光华 | |
刊名 | 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
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1991-12-27 | |
卷号 | 12期号:12页码:755-758 |
关键词 | 超晶格:7755 射频反应溅射法:4027 光学性质:3832 a-Si:H:2339 超晶格结构:912 量子尺寸效应:806 光学带隙:788 结构特性:745 半导体超晶格:671 X射线:603 |
ISSN号 | 02534177 |
其他题名 | Study on optical properties of reactive-sputtering a-Si:H/a-Ge:H superlattices |
通讯作者 | Wang, Yinyue |
中文摘要 | 本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象. |
学科主题 | 712 Electronic and Thermionic Materials;741 Light, Optics and Optical Devices;931 Classical Physics; Quantum Theory; Relativity |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101499] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王印月,许怀哲,张仿清,等. 反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1991,12(12):755-758. |
APA | 王印月,许怀哲,张仿清,&陈光华.(1991).反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,12(12),755-758. |
MLA | 王印月,et al."反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 12.12(1991):755-758. |
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