GD-a-Si_xC_(1-x)_H薄膜光照场效应的研究

	GD-a-Si_xC_(1-x)_H薄膜光照场效应的研究
	王印月; 张仿清; 吴现成; 陈光华
刊名	电子学报
	1987-01-31
期号	1 页码:124-126
关键词	场效应:8279 隙态密度:3553 非晶半导体:2040 a-Si:1620 兰州大学:1551 MOSFET:1477 间接复合:1418 复合机制:1373 依赖关系:1371 非晶硅:1291
其他题名	GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光照场效应的研究
中文摘要	本文利用MOSFET结构研究了GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光照场效应以及光电导和S-W效应。实验测得光照引入的缺陷态密度约为10~(17)/cm~3.eV。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101487]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,张仿清,吴现成,等. GD-a-Si_xC_(1-x)_H薄膜光照场效应的研究[J]. 电子学报,1987(1):124-126.
APA	王印月,张仿清,吴现成,&陈光华.(1987).GD-a-Si_xC_(1-x)_H薄膜光照场效应的研究.电子学报(1),124-126.
MLA	王印月,et al."GD-a-Si_xC_(1-x)_H薄膜光照场效应的研究".电子学报 .1(1987):124-126.